半導体レーザー装置
文献类型：专利
| 作者 | 石田 裕之; 阿閉 誠 |
| 发表日期 | 2003-03-14 |
| 专利号 | JP2003077160A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザー装置を構成する部材の位置ずれを抑制することにより、半導体レーザー装置の光学特性変化を抑制する。 【解決手段】 記録媒体5にレーザー光を照射する半導体レーザー素子1と、前記半導体レーザー素子1から射出されたレーザー光の前記記録媒体5での戻り光を回折する回折格子6と、前記回折格子6によって回折された前記戻り光を受光する受光素子10と、前記半導体レーザー素子1および前記受光素子10を収容するパッケージ11と、前記パッケージ11を封止する封止基板2とを備えた半導体レーザー装置において、前記パッケージ11と前記封止基板2とを接着剤12を介して接着し、この接着部において、前記パッケージ11および前記封止基板2の少なくとも一方の接着面に凹部または凸部を形成した。 |
| 公开日期 | 2003-03-14 |
| 申请日期 | 2001-09-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69665]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石田 裕之,阿閉 誠. 半導体レーザー装置. JP2003077160A. 2003-03-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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