半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大久保 伸洋 |
| 发表日期 | 2008-03-28 |
| 专利号 | JP4102554B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ共振器端面近傍の活性層領域では、CODが発生しやすいため、高出力駆動時の最大光出力の低下を引き起こし、十分な長期信頼性が得られない。 【解決手段】 半導体基板101の上方に積層した、ウエル層とバリア層とを含む量子井戸活性層103を備えると共に、共振器端面近傍領域の量子井戸活性層103のバンドギャップが、共振器内部領域の量子井戸活性層103のバンドギャップよりも大きくされた半導体レーザ素子において、前記活性層103のウエル層とバリア層の各層にはII族原子が含まれてなることによって上記の課題を解決する。 |
| 公开日期 | 2008-06-18 |
| 申请日期 | 2001-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69667]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 伸洋. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP4102554B2. 2008-03-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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