半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 今藤 修; 中西 秀行; 高森 晃 |
| 发表日期 | 2003-05-23 |
| 专利号 | JP2003152277A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 利得領域と非注入領域の光分布をほぼ同じにして、カップリングロスによる閾値電流の増大を防止し、同時に、複合共振器効果によるノイズ特性の劣化を防止する。 【解決手段】 半導体基板1上に形成された、少なくとも1層の第1導電型の第1クラッド層2、活性層3、および少なくとも1層の第2導電型の第2クラッド層4を含むダブルへテロ構造と、半導体レーザのほぼ長手方向に延びるリッジ状の導波路を有する第2導電型の第3クラッド層6と、リッジ状の導波路の側壁に設けられた電流ブロック層8とを備える。少なくとも一方の共振器方向端面近傍に電流非注入領域が形成されるとともに、電流ブロック層の屈折率が第3クラッド層の屈折率と同一である領域を有する。 |
| 公开日期 | 2003-05-23 |
| 申请日期 | 2001-11-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69686]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今藤 修,中西 秀行,高森 晃. 半導体レーザ. JP2003152277A. 2003-05-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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