半導体レーザ装置およびその製造方法並びに光ディスク再生記録装置
文献类型：专利
| 作者 | 蛭川 秀一; 岸本 克彦 |
| 发表日期 | 2003-07-31 |
| 专利号 | JP2003218452A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法並びに光ディスク再生記録装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 発振波長が760nmより大きく800nmより小さくて、高信頼性、長寿命、かつ、高出力な半導体レーザ装置およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 共振器後端面近傍の領域において、断面略3角形状のストライプ形状のp-AlGaAs第二上クラッド層109、n-AlGaAs第一電流ブロック層112、n-GaAs第二電流ブロック層113およびp-GaAs平坦化層114およびp-GaAsキャップ層116でpnp接合を形成している。共振器前端面近傍のメサストライプ形状の第二上クラッド層109直上にはキャップ層110が設けられる。これにより、共振器後端面近傍の領域における多重歪量子井戸活性層105への注入電流密度は、他の領域における多重歪量子井戸活性層105への注入電流密度よりも低減される。 |
| 公开日期 | 2003-07-31 |
| 申请日期 | 2002-01-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69702]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蛭川 秀一,岸本 克彦. 半導体レーザ装置およびその製造方法並びに光ディスク再生記録装置. JP2003218452A. 2003-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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