半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 朝日 一; 周 逸凱 |
| 发表日期 | 2003-09-26 |
| 专利号 | JP2003273471A |
| 著作权人 | KANSAI TLO KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 直線偏光を円偏光に変換する手段を用いる必要のない、円偏光レーザを発光することのできる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 正孔の注入源であるpクラッド層21と、電子の注入源であるnクラッド層22と、pクラッド層21とnクラッド層22との間に配置されpクラッド層21から正孔が注入されnクラッド層22から電子が注入される活性層23とを備え、活性層23は、遷移金属を含有し強磁性を有するIII-V族化合物半導体からなるGaCrNである。このような活性層23を備える半導体レーザ20は、円偏光レーザを発光することができる。 |
| 公开日期 | 2003-09-26 |
| 申请日期 | 2002-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69711]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | KANSAI TLO KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朝日 一,周 逸凱. 半導体レーザ. JP2003273471A. 2003-09-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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