半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 嶋崎 豊幸 |
| 发表日期 | 2004-02-19 |
| 专利号 | JP2004054965A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザからの出射光を反射してその進行方向を変える立ち上げミラーの表面凹凸を低減し、青紫色半導体レーザ等の短波長の光が入射しても、乱反射の影響を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】シリコン基板1に異方性ウエットエッチングにより溝部4を形成する工程と、熱処理により軟化する第一の膜7と引っ張り応力を有する第二の膜8とを前記溝部上に順次形成する工程と、熱処理を行って前記第一の膜7を軟化させ、前記溝部側面の表面凹凸を平坦化する工程と、前記溝部4に光反射膜9を形成する工程と、前記溝部側面の所定の傾斜面に光反射膜9を残して立ち上げミラー10とする工程とを備えている。 【選択図】 図8 |
| 公开日期 | 2004-02-19 |
| 申请日期 | 2002-07-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69731]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 嶋崎 豊幸. 半導体装置の製造方法. JP2004054965A. 2004-02-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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