半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 宮部 主之; 沢野 博之; 堀田 等 |
| 发表日期 | 2006-01-13 |
| 专利号 | JP3759081B2 |
| 著作权人 | NEC化合物デバイス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】放熱ブロックの材料に拘わらず、半導体レーザ素子の放熱特性を改善する。 【解決手段】第1半導体レーザ素子31と第2半導体レーザ素子32が同一ブロック101に配置され、第1半導体レーザ素子31の第1電極61はブロック101に直接接触しており、放熱効果が高い。第2半導体レーザ素子32の第2電極62は絶縁性の誘電体層5上に配置されており、ブロック101と第2半導体レーザ素子32は電気的に絶縁されている。このため、ブロック101の構成材料に拘わらず、第1半導体レーザ素子31と第2半導体レーザ素子32とを独立して駆動できる。また、第1半導体レーザ素子31と第2半導体レーザ素子32の発光点間隔は各半導体レーザの電極間隔と半導体レーザチップ端面の発光点位置のみに制限を受けるため、可及的に短くできる。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2006-03-22 |
| 申请日期 | 2002-07-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69732]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC化合物デバイス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮部 主之,沢野 博之,堀田 等. 半導体レーザ装置. JP3759081B2. 2006-01-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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