半導体レーザ装置およびそれを用いた光ディスク装置
文献类型：专利
| 作者 | 山本 圭; 大林 健 |
| 发表日期 | 2004-02-19 |
| 专利号 | JP2004055747A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ディスク装置 |
| 英文摘要 | 【課題】Alフリーで且つΔEgの大きさに因らずに特性を向上させる。 【解決手段】活性領域をInGaPバリア層26とGaAs基板と格子整合したInGaAsP井戸層27とのDQW構造とし、Al組成が0.20よりも大きいAlGaAsでガイド層24,28を構成する。その結果、ガイド層24,28と井戸層27との|ΔEc|を0.12eV以上にでき、井戸層27からの電子のオーバーフローを抑制することができる。更に、InGaAsP井戸層27と組み合せることによって、小さなEgのガイド層24,28で、井戸層27とガイド層24,28との|ΔEv|を小さいままに|ΔEc|を大きくすることが可能になる。すなわち、井戸層27へのホール注入のバリアにはならないようにし、且つ、井戸層27からの電子のオーバーフローを抑制することができる。 【選択図】 図3 |
| 公开日期 | 2004-02-19 |
| 申请日期 | 2002-07-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69733]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 圭,大林 健. 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ディスク装置. JP2004055747A. 2004-02-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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