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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者杉山 勤; 土師 信幸
发表日期2004-04-30
专利号JP2004130335A
著作权人松下電器産業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要【課題】従来の半導体レーザ加工装置では、被加工物106からの散乱放射光108により集光光学素子102や、保護窓104が加熱されて温度上昇し、長時間の加工を行うと光学部品としての使用温度限界に達する、あるいは温度上昇に伴い集光光学素子102の焦点距離が変化する為に加工品質が安定しないという課題を有していた。 本発明は、レーザ加工時の光学素子の温度上昇を抑制して安定した加工のできる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】半導体レーザ装置の筐体6の先端部に光学軸8Aに対して傾斜した面をもち、被加工物7からの散乱放射光9に対して反射性を持つ材質又は表面処理をした反射先端部5を設ける事により、散乱放射光9が傾斜した反射面で反射し、集光光学素子2やそのホルダ3に当たって、光学素子の温度上昇を起さないようする。 【選択図】 図1
公开日期2004-04-30
申请日期2002-10-09
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69745]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電器産業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
杉山 勤,土師 信幸. 半導体レーザ装置. JP2004130335A. 2004-04-30.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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