半導体レーザ装置
文献类型:专利
| 作者 | 杉山 勤; 土師 信幸 |
| 发表日期 | 2004-04-30 |
| 专利号 | JP2004130335A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】従来の半導体レーザ加工装置では、被加工物106からの散乱放射光108により集光光学素子102や、保護窓104が加熱されて温度上昇し、長時間の加工を行うと光学部品としての使用温度限界に達する、あるいは温度上昇に伴い集光光学素子102の焦点距離が変化する為に加工品質が安定しないという課題を有していた。 本発明は、レーザ加工時の光学素子の温度上昇を抑制して安定した加工のできる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】半導体レーザ装置の筐体6の先端部に光学軸8Aに対して傾斜した面をもち、被加工物7からの散乱放射光9に対して反射性を持つ材質又は表面処理をした反射先端部5を設ける事により、散乱放射光9が傾斜した反射面で反射し、集光光学素子2やそのホルダ3に当たって、光学素子の温度上昇を起さないようする。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-04-30 |
| 申请日期 | 2002-10-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69745] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉山 勤,土師 信幸. 半導体レーザ装置. JP2004130335A. 2004-04-30. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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