半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 本多 正治 |
| 发表日期 | 2004-01-08 |
| 专利号 | JP2004006659A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザ装置の放熱性を改善すること。 【解決手段】円状のベース部3とヒートシンク部4からなるパッケージ2の前記ヒートシンク部4に半導体レーザ素子9を配置した半導体レーザ装置1において、前記ヒートシンク部4を前記ベース部3と同心円状の円柱形状とし、このヒートシンク部4の軸方向にそって溝5を形成し、この溝5の底部6に前記半導体レーザ素子9を配置したことを特徴とする。パッケージ部2は、ベース部3とヒートシンク部4を銅などの金属によって一体的に形成することにより、放熱性を高めることができる。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-01-08 |
| 申请日期 | 2003-02-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69760]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 本多 正治. 半導体レーザ装置. JP2004006659A. 2004-01-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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