半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 松岡 裕益; 國次 恭宏; 西口 晴美; 八木 哲哉; 中川 康幸; 堀江 淳一 |
| 发表日期 | 2008-03-21 |
| 专利号 | JP4097552B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザ端面に形成される反射膜を構成する誘電体膜の膜厚や屈折率が変動しても反射率を安定に制御でき、用途に応じた所望の反射率を容易に実現できる半導体レーザ装置を提供する 【解決手段】低反射膜10は、レーザチップに接する側から順に、屈折率n1の誘電体膜11、屈折率n2の誘電体膜12、屈折率n3の誘電体膜13、屈折率n4の誘電体膜14で形成され、屈折率n1~n4は、n2=n4≦n1≦n3の関係を満たす。具体的には、波長λ=660nmの赤色半導体レーザを使用した場合、誘電体膜11には屈折率n1=638の酸化アルミニウムAl2O3、誘電体膜12および誘電体膜14には屈折率n2=n4=489の酸化珪素SiO2、誘電体膜13には屈折率n3=2.063の酸化タンタルTa2O5をそれぞれ使用する。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2008-06-11 |
| 申请日期 | 2003-03-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69771]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松岡 裕益,國次 恭宏,西口 晴美,等. 半導体レーザ装置. JP4097552B2. 2008-03-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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