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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者梅本 整; 松村 拓明; 落合 真尚
发表日期2004-03-04
专利号JP2004072072A
著作权人日亜化学工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要【課題】長時間の連続発振による半導体レーザ素子の劣化に関係なく安定したAPC駆動が可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】本発明のレーザ装置は、半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の出射端面からの出射光を透過させる窓ガラスと、前記出射光の一部であり透過されず当該窓ガラスで反射された反射光を検出する受光素子と、前記半導体レーザ素子と受光素子が設置されたステムと、を少なくとも有する半導体レーザ装置であって、前記窓ガラスは、前記半導体レーザ素子の鉛直上方に設けられ、前記受光素子は水平より傾斜して、ステムの主面に接して設けられていることを特徴とする。 【選択図】 図1
公开日期2004-03-04
申请日期2003-05-13
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69780]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日亜化学工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
梅本 整,松村 拓明,落合 真尚. 半導体レーザ装置. JP2004072072A. 2004-03-04.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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