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半導体レーザユニット

文献类型:专利

作者狩野 健彦; 坊野 憲司; 井野 雄作; 小松 賢
发表日期2005-01-20
专利号JP2005019709A
著作权人CHICHIBU FUJI CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザユニット
英文摘要【課題】ユニット全体の外形寸法を変更することなく放熱性を改善し得る新規な半導体レーザユニットを提供する。 【解決手段】樹脂成形部6を、高熱伝導性樹脂により、並列状の各リードピン8における上部と側部に電気的接続面を残して各リードピン8を保持するよう成形して、レーザダイオードチップ1の発熱を、アイランド5から樹脂成形部6を介して各リードピン8に伝導し、アイランド5と複数のリードピン8により放熱がなされるよう形成した。 【選択図】図1
公开日期2005-01-20
申请日期2003-06-26
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69792]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位CHICHIBU FUJI CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
狩野 健彦,坊野 憲司,井野 雄作,等. 半導体レーザユニット. JP2005019709A. 2005-01-20.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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