半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 井島 新一 |
| 发表日期 | 2008-01-18 |
| 专利号 | JP4066375B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザ装置の小型化を図ると共に、信頼性の高い半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】半導体レーザ装置11は、半導体レーザ素子22、受光素子基板23、受光素子25、回路基板26、及び光学部品30を備える。受光素子基板23は、フリップチップ工法により回路基板26に実装される。回路基板26の内部には多層配線が形成され、回路基板26の下面の端部には外部接続電極27が配置される。受光素子基板23の上面では、回路基板26の開口部24に臨む受光領域に受光素子25が、受光領域の内側に半導体レーザ素子22が配置される。回路基板26を挟んで受光素子基板23の上面と対向する側では、ホログラム領域29を有する光学部品30が接着剤31によって回路基板26上に固定される。このように、半導体レーザ装置11では、受光素子基板23が封止用樹脂32、光学部品30、及び接着剤31によって外部の環境から保護される。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2008-03-26 |
| 申请日期 | 2004-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69842]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井島 新一. 半導体レーザ装置. JP4066375B2. 2008-01-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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