半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 井上 大二朗; 畑 雅幸; 別所 靖之 |
| 发表日期 | 2006-03-16 |
| 专利号 | JP2006073644A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 駆動電圧の制御が容易で、かつ絶縁性の層の影響による半導体レーザ素子の高周波特性の劣化を十分に抑制することができる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 支持部材5上には、複数の融着層Hを介して副基板31、青紫色半導体レーザ素子10、絶縁層32および赤色半導体レーザ素子20が順に積層されている。青紫色半導体レーザ素子10のn側パッド電極10b上に絶縁層32が積層され、絶縁層32上には導電層32aが形成されている。導電層32a上には融着層Hを介して赤色半導体レーザ素子20が積層されている。導電層32aは赤色半導体レーザ素子20のp側パッド電極20aと電気的に接続されている。青紫色半導体レーザ素子10のn側パッド電極10bおよび赤色半導体レーザ素子20のn側パッド電極20bは電気的に接続されている。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2006-03-16 |
| 申请日期 | 2004-08-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69868]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井上 大二朗,畑 雅幸,別所 靖之. 半導体レーザ装置. JP2006073644A. 2006-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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