光デバイス
文献类型：专利
| 作者 | 大山 実 |
| 发表日期 | 2008-10-03 |
| 专利号 | JP4192872B2 |
| 著作权人 | 日本ビクター株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光デバイス |
| 英文摘要 | 【課題】 特に、記録動作に用いる高出力半導体レーザ及び高倍速に対応可能な増幅演算回路を内蔵した受光素子(PDIC)を一体的に集積化した光デバイスにおいて、これら発熱源における発熱を効率よく放熱でき、また、半導体レーザ及び受光素子の位置関係を容易に高精度に維持することができるようにする。 【解決手段】 半導体レーザ5は、活性層側の面を配線基板1の表面部に当接させて配置される。受光素子基板4は、受光素子の受光面が設けられた側の面を配線基板1の裏面部に当接させて配置される。光路変換ミラー6は、受光素子基板1の受光素子の受光面が設けられた側の面に設置され、配線基板1に設けられた開口部内に位置する。半導体レーザ5の発光点5aから受光素子の受光面が設けられた側の面までの距離は、配線基板1の厚さによって規制される。 【選択図】図5 |
| 公开日期 | 2008-12-10 |
| 申请日期 | 2004-09-16 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69871]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本ビクター株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大山 実. 光デバイス. JP4192872B2. 2008-10-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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