半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 根本 和彦 |
| 发表日期 | 2006-08-10 |
| 专利号 | JP2006210509A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】特性の均一性や歩留まりを維持しつつ、半導体発光素子のサイズを小さくすることができる、あるいは、半導体発光素子のサイズを変更せずに、特性の均一性や歩留まりを向上させることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】隣り合った2つの第1積層体ST1のストライプを複数並べて形成し、さらに、第1積層体ST1間の領域に、隣り合った2つの第2積層体ST2のストライプを形成する。すなわち、基板30上に、第1積層体ST1のストライプと、第2積層体ST2のストライプとが2本ずつ並ぶように形成する。その後、隣り合った2つの第1積層体ST1のストライプ間、および隣り合った2つの第2積層体ST2のストライプ間において基板30を分断することにより、第1積層体ST1および第2積層体ST2のストライプを備えた半導体発光素子が製造される。 【選択図】図5 |
| 公开日期 | 2006-08-10 |
| 申请日期 | 2005-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69888]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 根本 和彦. 半導体発光素子の製造方法. JP2006210509A. 2006-08-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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