半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 東條 友昭 |
| 发表日期 | 2006-08-17 |
| 专利号 | JP2006216832A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 性能に優れた多数の半導体装置をウェハ単位で安価に一括製造しうる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 第1の犠牲層123と第1の接合層124を介して、第2の基板120上に複数のミラー部136を接合する。複数のミラー部136を備えた第2の基板120と受光部117と回路が形成された半導体素子を複数有する第1の基板110との相対的な位置を調整しつつ、ミラー部136と半導体素子との各一部同士を接合する。第2の基板120を除去した後、第1の基板110を複数の半導体装置に分断する。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2006-08-17 |
| 申请日期 | 2005-02-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69889]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東條 友昭. 半導体装置の製造方法. JP2006216832A. 2006-08-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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