光半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中西 直樹; 濱口 真一; 山本 博昭 |
| 发表日期 | 2007-01-11 |
| 专利号 | JP2007004900A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 小型·薄型化が可能で、半導体レーザ素子の高い信頼性を有する光半導体装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体レーザ8と、半導体レーザ8から出射されディスク7により反射されたレーザ光を回折するホログラム素子4が形成された光学ブロック3と、ホログラム素子4により回折されたレーザ光を受光し電気信号を出力する受光素子9と、半導体レーザ8と受光素子9とを格納するパッケージ2とを備え、パッケージ2は、内部に各々独立して複数の空間12及び13を有し、半導体レーザ8と受光素子9は互いに異なる空間に格納されている。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2007-01-11 |
| 申请日期 | 2005-06-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69904]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中西 直樹,濱口 真一,山本 博昭. 光半導体装置及びその製造方法. JP2007004900A. 2007-01-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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