半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 井上 大二朗; 畑 雅幸; 別所 靖之 |
| 发表日期 | 2011-04-22 |
| 专利号 | JP4726572B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 放熱性が良好な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 導電性の支持部材5上に、導電性の融着層Hが形成されている。融着層H上には、上面および下面に導電層31a,31bを備える絶縁性の副基板31が設けられている。副基板31の導電層31a上には、融着層Hを介して青紫色半導体レーザ素子10が接着されている。青紫色半導体レーザ素子10のn側パッド電極10b上に絶縁層32が設けられている。絶縁層32上には、赤色半導体レーザ素子20が接着される。この絶縁層32は、接着される赤色半導体レーザ素子20のリッジ部Riの領域と、その他の領域とで厚み(Z方向)が異なる。青紫色半導体レーザ素子10および赤色半導体レーザ素子20間ではカソードコモンの結線が実現されている。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2011-07-20 |
| 申请日期 | 2005-08-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69906]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井上 大二朗,畑 雅幸,別所 靖之. 半導体レーザ装置. JP4726572B2. 2011-04-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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