集積型光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 鶴田 徹; 上野 明 |
| 发表日期 | 2006-08-31 |
| 专利号 | JP2006229246A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 集積型光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザ素子に接続されたワイヤによる反射光が多分割受光領域に信号光に対する雑音光である迷光となって入射するのを抑制する。 【解決手段】半導体レーザ素子1と受光素子4を有し、半導体レーザ素子1に接続されたワイヤ8が半導体レーザ素子1により自動的に形成される光遮蔽領域13に形成される。または、ワイヤ8を半導体レーザ素子1からの出射光の方向とほぼ垂直方向に張る。このように、ワイヤの位置またはワイヤを張る方向を制御するという極めて簡単な方法で、ワイヤからの反射光による迷光を低減することができるためその製造効果は絶大である。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-08-31 |
| 申请日期 | 2006-04-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69934]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鶴田 徹,上野 明. 集積型光半導体装置. JP2006229246A. 2006-08-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。