半導体レーザ素子とその製造方法、光ディスク装置、および光伝送モジュール
文献类型：专利
| 作者 | 大林 健; 岸本 克彦 |
| 发表日期 | 2008-02-28 |
| 专利号 | JP2008047641A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子とその製造方法、光ディスク装置、および光伝送モジュール |
| 英文摘要 | 【課題】高発振効率で低消費電力動作が可能な半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】第1導電型半導体基板上に順次積層された第1導電型下クラッド層、活性層、第2導電型のAl含有第1上クラッド層、ストライプ状リッジ形状の第2導電型の第2上クラッド層、および第2導電型コンタクト層を含むリッジ導波型半導体レーザ素子であって、第1上クラッド層の電子親和力がχ1で禁制帯幅がEg1であり、コンタクト層の電子親和力がχ2で禁制帯幅がEg2であるきに、第1導電型がn型で第2導電型がp型の場合には(χ1+Eg1)>(χ2+Eg2)の関係を満たし、第1導電型がp型で第2導電型がn型の場合にはχ1<χ2の関係を満たし、リッジ直下を除く領域には第1上クラッド層の表面酸化で形成された酸化物層が設けられており、リッジ頂部のコンタクト層、リッジ側面、および酸化物層の上に連なって直接被覆している金属電極層を備える。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-02-28 |
| 申请日期 | 2006-08-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69946]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大林 健,岸本 克彦. 半導体レーザ素子とその製造方法、光ディスク装置、および光伝送モジュール. JP2008047641A. 2008-02-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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