半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 志水 雄三; 楠原 豊典; 黒田 俊宏; 古川 大介 |
| 发表日期 | 2008-06-26 |
| 专利号 | JP2008147250A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体LDから出射される光に基づいて半導体LDの発光パワーを制御する半導体レーザ装置において、安定して半導体LDの発光パワーを制御することが可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】後方に異なる波長の後方出射光105および107を出射すると共に前方に光を出射する半導体LD104と、後方出射光105および107が入射され、後方出射光105および107を光電変換する受光部103を有する半導体基板101と、後方出射光105および107が入射される受光部103表面に位置する反射防止膜109とを備え、反射防止膜109の膜厚は、後方出射光105が入射する部分と、後方出射光107が入射する部分とで異なる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-06-26 |
| 申请日期 | 2006-12-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69957]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 志水 雄三,楠原 豊典,黒田 俊宏,等. 半導体レーザ装置. JP2008147250A. 2008-06-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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