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半導体レーザ制御回路

文献类型:专利

作者金野 耕寿; 片田 真三康; 森川 浩安
发表日期2008-07-10
专利号JP2008159123A
著作权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ制御回路
英文摘要【課題】高精度且つ多ビットを有するDAコンバータ器を1つ備えるだけで済む半導体レーザ制御回路を提供する。 【解決手段】回路A、B、Cにより生成される第1ないし第3の信号に基づき、演算プロセッサ24aが、演算により、3つのデータIp、Ib、Ieを時系列で生成する。サンプルホールド回路付きDAコンバータ部25aは、1つのDAコンバータ器と3つのサンプルホールド回路を備える。前記DAコンバータ器は、前記3つのデータIp、Ib、Ieをアナログ電圧信号に時系列で変換する。前記各サンプルホールド回路は、前記DAコンバータ器により変換された各アナログ電圧信号をそれぞれホールドする。サンプルホールド回路付きDAコンバータ部25aは、前記各サンプルホールド回路にホールドされた各アナログ電圧信号をそれぞれアナログ電流信号Pp、Pb、Peに変換して出力する。 【選択図】図2
公开日期2008-07-10
申请日期2006-12-22
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69959]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
金野 耕寿,片田 真三康,森川 浩安. 半導体レーザ制御回路. JP2008159123A. 2008-07-10.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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