半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 井島 新一 |
| 发表日期 | 2008-10-09 |
| 专利号 | JP2008244226A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】応答性の優れた半導体レーザ素子を搭載した半導体レーザ装置を提供することにある。 【解決手段】導電性材料からなる基台1と、基台1の上面1a及び両側面1bに沿って折り曲げられた状態で、基台1に当接して配設されたフレキシブル配線基板2と、基台1上に搭載された半導体レーザ素子5とを備えており、フレキシブル配線基板2は、基板2の表面に形成された絶縁層2bで、基台1と電気的に絶縁されている。半導体レーザ素子5のアノードまたはカソードの何れかは、基台1の上面1aに当接されたフレキシブル配線基板2の配線パターン2cに接続されており、配線パターン2cは、絶縁層2bの基台1に当接する部位に設けられた開口部7を介して、基台1に電気的に接続されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-10-09 |
| 申请日期 | 2007-03-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69970]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井島 新一. 半導体レーザ装置. JP2008244226A. 2008-10-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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