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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者井島 新一
发表日期2008-10-09
专利号JP2008244226A
著作权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要【課題】応答性の優れた半導体レーザ素子を搭載した半導体レーザ装置を提供することにある。 【解決手段】導電性材料からなる基台1と、基台1の上面1a及び両側面1bに沿って折り曲げられた状態で、基台1に当接して配設されたフレキシブル配線基板2と、基台1上に搭載された半導体レーザ素子5とを備えており、フレキシブル配線基板2は、基板2の表面に形成された絶縁層2bで、基台1と電気的に絶縁されている。半導体レーザ素子5のアノードまたはカソードの何れかは、基台1の上面1aに当接されたフレキシブル配線基板2の配線パターン2cに接続されており、配線パターン2cは、絶縁層2bの基台1に当接する部位に設けられた開口部7を介して、基台1に電気的に接続されている。 【選択図】図1
公开日期2008-10-09
申请日期2007-03-28
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69970]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
井島 新一. 半導体レーザ装置. JP2008244226A. 2008-10-09.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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