半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ
文献类型：专利
| 作者 | 太田 誠; 横山 弘之; 倉本 大; 池田 昌夫 |
| 发表日期 | 2010-07-08 |
| 专利号 | JP2010153430A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ |
| 英文摘要 | 【課題】遠視野像の形状を悪化させることなく、十分に強いセルフパルセーション動作を行うことができ、低雑音のレーザ光を安定して得ることができ、しかも製造が容易な半導体レーザを提供する。 【解決手段】クラッド層にリッジストライプ11を有するセルフパルセーション半導体レーザにおいて、リッジストライプ11のうちの共振器長方向の中央部の両側面の近傍の部分にイオン注入などにより高抵抗領域14を形成する。高抵抗領域14は電流狭窄領域として働き、この高抵抗領域14が形成された部分のリッジストライプ11ではこの高抵抗領域14の間の部分が電流注入領域となる。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2010-07-08 |
| 申请日期 | 2008-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70025]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太田 誠,横山 弘之,倉本 大,等. 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ. JP2010153430A. 2010-07-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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