半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 高山 徹 |
| 发表日期 | 2009-06-25 |
| 专利号 | JP2009141382A |
| 著作权人 | パナソニック株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】高出力動作状態における発光効率の飽和が抑制され、安定した基本横モード発振を行うことが可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】基板上に形成された、第1の導電型クラッド層と、活性層と、第2の導電型クラッド層とを備え、キャリアを注入するためのストライプ構造を有する。半導体レーザの共振器長をL、前端面の反射率をRf、後端面の反射率をRrとするとき、Rfe(Rf)/Loge(Rf×Rr)で表される位置とすると、ストライプの幅が共振器方向に対して距離L1から200μm以内の距離まで直線的に狭くなった後、後端面側のリッジ幅は一定である。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2009-06-25 |
| 申请日期 | 2009-02-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70028]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パナソニック株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山 徹. 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置. JP2009141382A. 2009-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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