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半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置

文献类型:专利

作者高山 徹
发表日期2009-06-25
专利号JP2009141382A
著作权人パナソニック株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置
英文摘要(修正有) 【課題】高出力動作状態における発光効率の飽和が抑制され、安定した基本横モード発振を行うことが可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】基板上に形成された、第1の導電型クラッド層と、活性層と、第2の導電型クラッド層とを備え、キャリアを注入するためのストライプ構造を有する。半導体レーザの共振器長をL、前端面の反射率をRf、後端面の反射率をRrとするとき、Rfe(Rf)/Loge(Rf×Rr)で表される位置とすると、ストライプの幅が共振器方向に対して距離L1から200μm以内の距離まで直線的に狭くなった後、後端面側のリッジ幅は一定である。 【選択図】図3
公开日期2009-06-25
申请日期2009-02-10
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70028]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位パナソニック株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
高山 徹. 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置. JP2009141382A. 2009-06-25.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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