窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 川口 佳伸; 谷 善彦 |
| 发表日期 | 2011-02-03 |
| 专利号 | JP2011023406A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】本発明は、分離電極タイプの窒化物半導体レーザ素子において、可飽和吸収領域のキャリア寿命を短くし、以って良好な自励発振特性を得ること(すなわち容易に自励発振すること)を目的とする。 【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、基板上に少なくともn型窒化物半導体層と活性層とp型窒化物半導体層とp側電極とn側電極と共振器とを含み、該p側電極および該n側電極のうち少なくとも一方は、該共振器の長手方向に対して交差する分割領域によって電気的に2領域以上に分離されており、該活性層の少なくとも一部は、p型の導電型であることを特徴とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2011-02-03 |
| 申请日期 | 2009-07-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70033]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川口 佳伸,谷 善彦. 窒化物半導体レーザ素子. JP2011023406A. 2011-02-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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