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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者大久保 伸洋
发表日期2014-09-29
专利号JP2014183220A
著作权人シャープ株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要【課題】電極同士の電気的な接続状態を客観的に容易に判定することができる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】サブマウント(20)は、実装面(21a)上に形成されると共に、第1個別電極(14)と導電性ろう材によって電気的に接続された第1接続電極(22)と、実装面(21a)上に形成されると共に、第2個別電極(15)と導電性ろう材によって電気的に接続された第2接続電極(23)と、第1,第2接続電極(22,23)近傍に形成され、第1,第2接続電極(22,23)側からの導電性ろう材の染み出し度合いを判定するための染み出し判定部(26,27,28)とを有し、第1接続電極(22)側に形成された染み出し判定部(26,27,28)の個数は、第2接続電極(23)側に形成された染み出し判定部(26,27,28)の個数と異なる。 【選択図】図3
公开日期2014-09-29
申请日期2013-03-19
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70148]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位シャープ株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
大久保 伸洋. 半導体レーザ装置. JP2014183220A. 2014-09-29.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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