半導体光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 胡 匡洋; 向久保 優 |
| 发表日期 | 2019-04-11 |
| 专利号 | JP2019057671A |
| 著作权人 | 日本オクラロ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】クラックの進行を防止することを目的とする。 【解決手段】半導体光素子10は、第1方向D1にストライプ状に延びる活性層32を含むように積層された複数の半導体層からなる積層体12を含む。積層体12は、第1方向D1に直交する第2方向D2に活性層32から離れて第1方向D1に延びる溝44を有する上面28と、第2方向D2で上面28に隣接する側面50と、を有する。側面50は、側面50の他の領域よりも粗面になった粗面領域58を、上面28に隣接して有する。溝44は、粗面領域58が第1方向D1に有する幅の全体に隣り合い、活性層32の下面を超える深さDを有し、活性層32よりも側面50に近い。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2019-04-11 |
| 申请日期 | 2017-09-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70334]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オクラロ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡 匡洋,向久保 優. 半導体光素子及びその製造方法. JP2019057671A. 2019-04-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。