半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 峰久 次郎 |
| 发表日期 | 2010-12-24 |
| 专利号 | JP4651471B2 |
| 著作权人 | パナソニック株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ装置の出力低下が半導体レーザ素子の劣化によるものか、プローブの劣化によるのものであるかを判定することができる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光を発生する半導体レーザ素子3と、半導体レーザ素子から発生されたレーザ光をモニタリングするレーザ光検出器4と、レーザ光を照射対象物へ導光するプローブ6と、プローブからのプローブ出力光を計測する光パワーメータ7と、半導体レーザ素子を駆動する電流の値、レーザ光検出器および光パワーメータの計測データを記憶する記憶部8と、記憶部に格納された半導体レーザ素子を駆動する電流の値、レーザ光およびプローブ出力光の強度と、新たに計測した半導体レーザ素子を駆動する電流の値、レーザ光およびプローブ出力光の強度とを用いてプローブの透過率が低下したか否かを判定する制御部5とを備えたことを特徴とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2011-03-16 |
| 申请日期 | 2005-07-14 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70381]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パナソニック株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 峰久 次郎. 半導体レーザ装置. JP4651471B2. 2010-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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