半导体发光器件
文献类型：专利
| 作者 | 荒木田孝博; 内田史朗; 汐先政贵; 前田修 |
| 发表日期 | 2011-07-13 |
| 专利号 | CN102122792A |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光器件 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种半导体发光器件，通过简单的制造工艺实现提高的光检测精度。除了用于窄化电流的第一氧化层之外，在活性层和半导体光检测元件之间设置一个或多个第二氧化层。由于自发发射光包括许多发散分量，自发发射光被第二氧化层反射和散射，则抑制了自发发射光向半导体光检测元件侧的传播。经半导体光检测元件的自发发射光的检测强度降低，从而提高了光检测精度。第一和第二氧化层通过单一的氧化工艺形成，使得制造工艺被简化。 |
| 公开日期 | 2011-07-13 |
| 申请日期 | 2010-10-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70386]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荒木田孝博,内田史朗,汐先政贵,等. 半导体发光器件. CN102122792A. 2011-07-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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