磁控溅射PtSi/p-Si异质薄膜界面结构
文献类型：会议论文
| 作者 | 殷景华 ; 蔡伟 ; 王明光 ; 李美成 ; 赵连城 |
| 出版日期 | 2001-10-01 |
| 会议名称 | 第四届中国功能材料及其应用学术会议 |
| 会议日期 | 2001-10-01 |
| 会议地点 | 厦门 |
| 关键词 | PtSi 薄膜 界面结构 磁控溅射 |
| 中文摘要 | 金属硅化物的制备方法和工艺条件对硅化物的形成及分布有显著的影响,从而影响其显微结构.本文采用高分辨电镜观察薄膜的界面结构,研究结果表明,溅射方法制备的PtSi/p-Si异质薄膜分为三种典型结构:单层薄膜、多层薄膜和岛状薄膜,并分析了各自的特征. |
| 会议主办者 | 中国仪器仪表学会 |
| 会议录 | 第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集
 |
| 会议录出版者 | 中国仪器仪表学会 |
| 会议录出版地 | 北京 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/69355]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 殷景华,蔡伟,王明光,等. 磁控溅射PtSi/p-Si异质薄膜界面结构[C]. 见:第四届中国功能材料及其应用学术会议. 厦门. 2001-10-01. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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