マルチビーム半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 瀬古 保次; 上柳 喜一; 中山 秀生; 福永 秀樹 |
| 发表日期 | 1998-10-23 |
| 专利号 | JP2841428B2 |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To prevent the output of laser beams in each emission part from changing by installing bonding pad parts connected to independent drive electrodes through wiring parts and replacing corresponding parts of an active layer to the wiring parts with inactive layers. CONSTITUTION:Bonding pad parts 81-84 connected to independent drive electrodes 3-6 through wiring parts 91-94 are installed and corresponding parts of an active layer 23 to the wiring parts 91-94 are replaced by inactive layers 26 and 27. Therefore, even if electron carriers, hole carriers, and other carriers are implanted into the inactive layers 26 and 27 through the wiring parts 91-94, the carriers do not recombine in the inactive layers 26 and 27 to surely prevent an optical conversion phenomenon in the inactive layers 26 and 27. Thereby the influence of the carriers implanted through the wiring parts on emission parts 2e-2h is eliminated and the output of laser beams from the emission parts 2e-2h is stabilized. |
| 公开日期 | 1998-12-24 |
| 申请日期 | 1989-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70900]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 瀬古 保次,上柳 喜一,中山 秀生,等. マルチビーム半導体レーザ装置. JP2841428B2. 1998-10-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。