光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 花谷 昌一; 中村 均 |
| 发表日期 | 1993-05-25 |
| 专利号 | JP1993129638A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 光ファイバ、ロットレンズ等の光導体と結合が容易でかつ広帯域特性を持つ光半導体装置を得る。 【構成】 半導体基板(2)上に光入力又は光出力方向が積層方向にたいし垂直である光電変換領域(3、4、5)を積層した光半導体装置において、上記基板(2)の光結合部に外部光導体端部(14)と密着挿入可能な整合光結合用穴(0)を設けた。 【効果】 光半導体装置と外部光導体とのアライメントが簡単となり、素子加工工程、モジュール化工程での生産時間、調整時間の短縮及び歩留まりが向上する。また外部光導体低下がロットレンズ、先端加工レンズのとき、光半導体装置の広帯域化が容易となる。 |
| 公开日期 | 1993-05-25 |
| 申请日期 | 1991-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71046]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 花谷 昌一,中村 均. 光半導体装置. JP1993129638A. 1993-05-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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