半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 加守田 裕樹 |
| 发表日期 | 1993-01-22 |
| 专利号 | JP1993013820A |
| 著作权人 | オムロン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体発光素子のように接合面を下にして半田接合によりエピサイドダウン実装される半導体素子において、半田材が接合面に付着することによって接合面にショート不良が発生することを防止する。 【構成】 サブマウント基板12の電極13aの上に電解メッキによって半導体発光素子1の面積と同じ面積(あるいは、より小さな面積)の銅メッキ層14aを突設し、さらに、銅メッキ層14aの上に半田メッキ層15aを形成する。サブマウント11上面の銅メッキ層14aの上には、接合面2に近い側の表面3を下にして半導体発光素子1を載置し、半田メッキ層15aによって半田接合し、半導体発光素子1をサブマウント11上にエピサイドダウン実装する。 |
| 公开日期 | 1993-01-22 |
| 申请日期 | 1991-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71070]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オムロン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加守田 裕樹. 半導体装置. JP1993013820A. 1993-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。