半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 延原 裕之 |
| 发表日期 | 1993-02-05 |
| 专利号 | JP1993029702A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、半導体レーザに関し、半導体レーザの共振器長が短くなった場合にも、上面電極や下面電極が保護膜で覆われることなく、良好なワイヤボンディングやダイボンディングを行うことができる半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】半導体基板12上に形成された共振器14の端面が劈開面である半導体レーザ10において、共振器14の端面における活性層13の近傍のみが保護膜20、22により覆われるように構成する。 |
| 公开日期 | 1993-02-05 |
| 申请日期 | 1991-07-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71073]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 延原 裕之. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1993029702A. 1993-02-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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