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光半導体装置

文献类型:专利

作者阪口 眞弓; 黒田 文彦; 古山 英人; 濱崎 浩史
发表日期1993-02-12
专利号JP1993037024A
著作权人株式会社東芝
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体装置
英文摘要【目的】 台形溝をも正確に且つ再現性良く形成することができ、あらゆる光デバイスの装着を精度良く簡便に行うことができ、且つ経時的な信頼性も得られる光半導体装置を提供すること。 【構成】 半導体基板上に複数の光デバイスを装着した光半導体装置において、2枚のシリコンウェハ18a,18bをシリコン酸化膜21を介して接着して接着基板18を形成し、この接着基板18の一方のウェハ18aを選択的にエッチングして酸化膜21に達する深さの台形溝20と、各光デバイスの光軸の高さがそれぞれ一致するように溝幅が設定されたV溝19を形成し、接着基板18の台形溝20に半導体レーザ1を、V溝19に光ファイバ2及び球レンズ4等を設置したことを特徴とする。
公开日期1993-02-12
申请日期1991-07-31
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71079]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社東芝
推荐引用方式
GB/T 7714
阪口 眞弓,黒田 文彦,古山 英人,等. 光半導体装置. JP1993037024A. 1993-02-12.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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