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光半導体装置

文献类型:专利

作者高岡 圭児; 黒田 文彦
发表日期1993-02-12
专利号JP1993037087A
著作权人株式会社東芝
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体装置
英文摘要【目的】 半導体基板上に設ける半導体レーザ設置用の凹部の深さを高精度に設定することができ、半導体基板上で半導体レーザと光ファイバとを正確に光結合させることができる光半導体装置を提供すること。 【構成】 半導体基板10上に凹部10aとV溝10bを形成し、凹部10aに半導体レーザ30を設置すると共に、V溝10bに光ファイバ20を設置して、半導体レーザ30及び光ファイバ20を光結合した光半導体装置において、半導体基板10を2枚のシリコンウェハ11,13をシリコン酸化膜12を介して接着した接着基板で構成し、この接着基板10の一方のウェハ13をシリコン酸化膜12に達するまで選択エッチングして凹部10aを形成するようにしたものである。
公开日期1993-02-12
申请日期1991-07-31
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71080]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社東芝
推荐引用方式
GB/T 7714
高岡 圭児,黒田 文彦. 光半導体装置. JP1993037087A. 1993-02-12.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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