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半導体分布帰還型レーザ装置

文献类型:专利

作者多田 邦雄; 中野 義昭; 曹 宏力; 羅 毅; 井上 武史; 土橋 万知夫
发表日期1993-03-05
专利号JP1993055686A
著作权人光計測技術開発株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体分布帰還型レーザ装置
英文摘要【目的】 利得結合による分布帰還を利用した半導体分布帰還型レーザ装置の利得結合係数を大きくするとともに電流利用効率を高め、低しきい値電流動作を可能にする。 【構成】 導電性が周期的に変化し、かつこの周期的変化と同一周期で吸収係数が変化する回折格子7を活性層4の近傍に設ける。
公开日期1993-03-05
申请日期1991-08-22
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71081]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位光計測技術開発株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
多田 邦雄,中野 義昭,曹 宏力,等. 半導体分布帰還型レーザ装置. JP1993055686A. 1993-03-05.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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