分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 井上 武史; 中島 眞一 |
| 发表日期 | 1993-06-01 |
| 专利号 | JP1993136527A |
| 著作权人 | 光計測技術開発株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 利得結合型の分布帰還型半導体レーザの利得結合をさらに高め、さらに屈折率結合成分を打ち消すことができるようにする。 【構成】 異方性エッチングにより半導体層4に凸部の上端が平坦な凹凸形状5を設け、これに薄いバッファ層6を介して活性層7を成長させる。活性層7は、その両面に凹凸形状が形成され、半導体層4の凹凸形状5の凹部に対応する部分が厚く形成され、利得が周期的に変化する構造が得られる。 |
| 公开日期 | 1993-06-01 |
| 申请日期 | 1991-08-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71082]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 光計測技術開発株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井上 武史,中島 眞一. 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法. JP1993136527A. 1993-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。