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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者石井 光男
发表日期1993-04-23
专利号JP1993102617A
著作权人MITSUBISHI ELECTRIC CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要【目的】 放熱用ブロックをパッケージの中央の傾斜台に押し当てて半田付けするものにおいて、半田が傾斜台に乗り上げて、PDサブマウントの側面及びPDチップ上面に半田が付着する事を防止する。 【構成】 フォトダイオード4及びPDサブマウント5が設置され、かつパッケージ6の中央に位置する傾斜台7における放熱用ブロック3と接着する側面の中央部分に溝10を設けた。 【効果】 放熱用ブロック3を傾斜台7に押し当ててパッケージに接着させる際、半田が溝の中へ流れ込むことによってPDサブマウント側面並びにPDチップ上面への半田付着によるショートを回避することができる。
公开日期1993-04-23
申请日期1991-10-09
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71089]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
石井 光男. 半導体レーザ装置. JP1993102617A. 1993-04-23.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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