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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者藤巻 義継; 永嶋 憲二; 横山 盛人; 坪井 邦夫; 今井 敏博; 小笠原 敦
发表日期2001-05-11
专利号JP3186684B2
著作权人ソニー株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要【課題】 半導体レーザ装置の製造、組立の簡易化を図る。 【解決手段】 樹脂モールド体13に半導体レーザLDを配置する凹部14を設け、この凹部14内に、リードの半導体レーザLDをマウントするマウント部11Mと、レーザ等の電極との接続部12Aを導出させた構成とする。
公开日期2001-07-11
申请日期1991-10-21
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71092]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ソニー株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
藤巻 義継,永嶋 憲二,横山 盛人,等. 半導体レーザ装置. JP3186684B2. 2001-05-11.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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