半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 柳生 泰利; 嶋岡 誠; 福田 和之; 熊沢 鉄雄 |
| 发表日期 | 1993-05-25 |
| 专利号 | JP1993129732A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【構成】ヒートシンク3をL字型とし、L字の内側を半導体レーザ搭載基板2の上面と側面に接触させて側面とヒートシンク間を接合材15で固定し、かつ、半導体レーザ搭載基板2をヒートシンク3上に載せることを止め、基板2の下面とヒートシンク3の下面がほぼ同一平面になるようにし、この面をステムII上に半田等で固定する。 【効果】半導体レーザ装置10の半導体レーザ1の上面6とヒートシンクの接続面9との高さずれIのばらつきを抑えられるので高周波特性のばらつきが抑えられ、かつ半導体レーザの活性層5のステム11上面からの高さIIのばらつきが抑えられるので光送信装置に組み込む場合のレンズ或いは光ファイバとの光軸ずれが減少し、高い光結合効率が得られる。 |
| 公开日期 | 1993-05-25 |
| 申请日期 | 1991-11-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71094]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柳生 泰利,嶋岡 誠,福田 和之,等. 半導体レーザ装置. JP1993129732A. 1993-05-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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