半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 北村 祥司 |
| 发表日期 | 1993-06-11 |
| 专利号 | JP1993145173A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】短波長のレーザ光を得るために面発光レーザ素子上にSHG素子を一体として形成した構造の半導体レーザ素子とする。 【構成】垂直共振器型面発光半導体レーザ素子の光出射面の反射鏡上部に、一定の周期で分極を反転したLiNbO3 多層膜を積層し、またはLiNbO3 多層膜の上下両面にレーザ光の波長に対する反射鏡を設けて光共振器構造とすることにより、垂直共振器半導体レーザ素子とSHG素子とが一体として結合された青色発光可能な半導体レーザ素子とすることができる。 |
| 公开日期 | 1993-06-11 |
| 申请日期 | 1991-11-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71097]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北村 祥司. 半導体レーザ素子. JP1993145173A. 1993-06-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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