半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 黒部 篤; 手塚 勉; 定政 哲雄; 櫛部 光弘 |
| 发表日期 | 2001-08-10 |
| 专利号 | JP3219823B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 自然放出光の発振共振器モードに結合する割合を十分に高めることができ、より高効率及び低しきい値のマイクロ共振器レーザを実現することを目的とする。 【構成】 屈折率の大きな半導体膜と屈折率の小さな半導体膜を交互に複数個積層した第1及び第2の分布ブラッグ反射器20,40との間に、量子井戸活性層31からなるダブルヘテロ構造部が形成されたマイクロ共振器レーザにおいて、ダブルヘテロ構造部に対し基板10と反対側の分布ブラッグ反射器40を、ダブルヘテロ構造部の発光領域上で該ダブルヘテロ構造部と反対側に凸状に形成したことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2001-10-15 |
| 申请日期 | 1992-02-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71112]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黒部 篤,手塚 勉,定政 哲雄,等. 半導体発光素子. JP3219823B2. 2001-08-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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