半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 大石 敏之; 大村 悦司 |
| 发表日期 | 1999-04-02 |
| 专利号 | JP2908111B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 レーザ駆動電流の変化によるレーザアレイチップの温度変化を精度よく検出し制御して、レーザ特性を変動させる熱的クロストークを低減する。 【構成】 レーザアレイチップ1の下方のメッキ層1aとチップキャリア5との間にサーミスタ40を設け、レーザアレイチップ1の温度変化を検出する。 |
| 公开日期 | 1999-06-21 |
| 申请日期 | 1992-02-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71114]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大石 敏之,大村 悦司. 半導体レーザ装置. JP2908111B2. 1999-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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