光半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 一色 邦彦 |
| 发表日期 | 1993-09-21 |
| 专利号 | JP1993243684A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 性能を向上させた光半導体素子及びその製造法を提供する。 【構成】 素子内部に異なる層厚の部分を設けたレーザダイオードとフォトダイオードとの集積素子、光増幅器と分布帰還型レーザの集積素子及びλ/4シフト付分布帰還型レーザ。及び半導体基板あるいは多層膜上に部分的に絶縁膜を形成し、次いで減圧有機金属気相成長法により成長層を形成する。 |
| 公开日期 | 1993-09-21 |
| 申请日期 | 1992-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71120]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 一色 邦彦. 光半導体素子及びその製造方法. JP1993243684A. 1993-09-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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