半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 石井 光男; 水野 優 |
| 发表日期 | 1993-09-21 |
| 专利号 | JP1993243690A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 ジャンクションダウンボンディングされた半導体レーザ装置において、LDチップとサブマウントの界面より突出するはんだのウェット性を改善し、突出はんだによるレーザ光のケラレを防止する。 【構成】 サブマウント2のダイシング面にもメタライズ14を施した。 【効果】 LDチップとサブマウントのダイボンド時にはみ出したはんだは、メタライズされたダイシング面全体へ拡散され突出状態がなくなる。 |
| 公开日期 | 1993-09-21 |
| 申请日期 | 1992-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71121]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石井 光男,水野 優. 半導体レーザ装置. JP1993243690A. 1993-09-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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