半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 森 義弘; 大仲 清司 |
| 发表日期 | 1993-11-12 |
| 专利号 | JP1993299762A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 最大出射光量の増大と長寿命化を実現する。 【構成】 出射端面3,4に、アルミナや二酸化珪素より熱伝導率が一桁大きい炭素を主成分とする炭素薄膜7,8を形成している。レーザ光5,6が出射されると、出射端面3,4の表面準位でこの光が吸収されるので発熱する。このとき、炭素の禁制帯幅はレーザ光5,6の光子エネルギーより十分高いので、炭素薄膜7,8で光が吸収されることはないが、炭素薄膜7,8は高い熱伝導率を持つため、表面準位により発生した熱は炭素薄膜7,8を通って活性層2の周囲やヒートシンク9に逃がされる。 |
| 公开日期 | 1993-11-12 |
| 申请日期 | 1992-04-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71126]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 義弘,大仲 清司. 半導体レーザ. JP1993299762A. 1993-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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